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Introduction de la technologie LTPS au polysilicium basse température

La technologie poly-silicium à basse température LTPS (poly-silicium à basse température) a été initialement développée par des sociétés technologiques japonaises et nord-américaines afin de réduire la consommation d'énergie de l'écran Note-PC et de faire paraître le Note-PC plus fin et plus léger.Au milieu des années 1990, cette technologie a commencé à être mise en phase d'essai. Le LTPS dérivé de la nouvelle génération de panneaux électroluminescents organiques OLED a également été officiellement mis en service en 1998, ses plus grands avantages sont ultra-minces, légers et de faible consommation. Consommation, peut fournir des couleurs plus magnifiques et des images plus claires.

Polysilicium basse température

Écran LCD TFTpeut être divisé en silicium polycristallin (Poly-Si TFT) et en silicium amorphe (a-Si TFT), la différence entre les deux réside dans les différentes caractéristiques du transistor. La structure moléculaire du polysilicium est disposée de manière ordonnée et directive dans un grain, de sorte que le la mobilité des électrons est 200 à 300 fois plus rapide que celle du silicium amorphe. Généralement connu sous le nom deTFT-LCDfait référence au silicium amorphe, technologie mature, pour les produits LCD grand public. Le polysilicium comprend principalement deux types de produits : le polysilicium haute température (HTPS) et le polysilicium basse température (LTPS).

Poly-silicium basse température ; poly-silicium basse température ; LTPS (affichage à cristaux liquides à transistor à couche mince) utilise le laser excimer comme source de chaleur dans le processus d'emballage. Une fois que la lumière laser traverse le système de projection, le faisceau laser avec une distribution d'énergie uniforme être généré et projeté sur le substrat de verre de structure de silicium amorphe. Une fois que le substrat de verre de structure de silicium amorphe absorbe l'énergie du laser excimer, il sera transformé en une structure de polysilicium. Parce que l'ensemble du processus est terminé à 600 ℃, donc le général un substrat en verre peut être appliqué.

Ccaractéristique

L'écran LCD LTPS-TFT présente les avantages d'une haute résolution, d'une vitesse de réaction rapide, d'une luminosité élevée, d'un taux d'ouverture élevé, etc. De plus, parce que la disposition des cristaux de silicium deLCD LTPS-TFTest en ordre que l'a-Si, la mobilité électronique est plus de 100 fois supérieure et le circuit de commande périphérique peut être fabriqué sur le substrat de verre en même temps.Atteignez l'objectif d'intégration du système, économisez de l'espace et augmentez les coûts des circuits intégrés.

Dans le même temps, étant donné que le circuit IC du pilote est directement produit sur le panneau, il peut réduire le contact externe du composant, augmenter la fiabilité, faciliter la maintenance, raccourcir le temps de processus d'assemblage et réduire les caractéristiques EMI, puis réduire la conception du système d'application. temps et élargissez la liberté de conception.

LTPS-TFT LCD est la plus haute technologie pour réaliser un système sur panneau, la première génération deLCD LTPS-TFTL'utilisation d'un circuit pilote intégré et d'un transistor d'image haute performance pour obtenir un effet de haute résolution et de luminosité élevée a permis aux écrans LCD LTPS-TFT et A-Si d'avoir une grande différence.

La deuxième génération d'écran LCD LTPS-TFT grâce aux progrès de la technologie des circuits, de l'interface analogique à l'interface numérique, réduit la consommation d'énergie. La mobilité sur support de cette générationLCD LTPS-TFTest 100 fois celle du TFT a-Si et la largeur de ligne du motif d'électrode est d'environ 4 μm, ce qui n'est pas entièrement utilisé pour l'écran LCD LTPS-TFT.

Les écrans LCD LTPS-TFT sont mieux intégrés dans les LSI périphériques que la génération 2. Le but des écrans LCD LTPS-TFT est de:(1) ne pas avoir de pièces périphériques pour rendre le module plus fin et plus léger, et réduire le nombre de pièces et le temps d'assemblage ; (2) un traitement du signal simplifié peut réduire la consommation d'énergie ; (3) équipé d'une mémoire peut réduire la consommation d'énergie au minimum.

L'écran LCD LTPS-TFT devrait devenir un nouveau type d'écran en raison de ses avantages de haute résolution, de saturation des couleurs élevée et de faible coût. Avec les avantages d'une intégration de circuit élevée et d'un faible coût, il présente un avantage absolu dans l'application de petits et panneaux d'affichage de taille moyenne.

Cependant, il existe deux problèmes dans le TFT p-Si. Premièrement, le courant de coupure (c'est-à-dire le courant de fuite) du TFT est important (Ioff = nuVdW/L) ; Deuxièmement, il est difficile de préparer un matériau p-Si à haute mobilité dans grande surface à basse température, et le processus présente une certaine difficulté.

Il s'agit d'une nouvelle génération de technologie dérivée deÉcran LCD TFT.Les écrans LTPS sont fabriqués en ajoutant un processus laser aux panneaux TFT-LCD en silicium amorphe (A-Si) conventionnels, réduisant ainsi le nombre de composants de 40 pour cent et les pièces de connexion de 95 pour cent, réduisant considérablement le risque de défaillance du produit. améliorations de la consommation d'énergie et de la durabilité, avec 170 degrés d'angles de vision horizontaux et verticaux, 12 ms de temps de réponse, 500 nits de luminosité et un rapport de contraste de 500:1.

Il existe trois manières principales d'intégrer des pilotes p-Si basse température :

Le premier est le mode d'intégration hybride du commutateur de balayage et de données, c'est-à-dire que le circuit de ligne est intégré ensemble, le commutateur et le registre à décalage sont intégrés dans le circuit de ligne, et le pilote et l'amplificateur à adressage multiple sont connectés en externe à l'écran plat. avec le circuit hérité ;

Deuxièmement, tout le circuit de conduite est entièrement intégré à l'écran ;

Troisièmement, les circuits de conduite et de contrôle sont intégrés sur l'écran d'affichage.

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Heure de publication : 21 mars 2023