La technologie poly-silicium basse température LTPS (poly-silicium basse température) a été développée à l'origine par des sociétés technologiques japonaises et nord-américaines afin de réduire la consommation d'énergie de l'affichage du Note-PC et de rendre le Note-PC plus fin et plus léger.Au milieu des années 1990, cette technologie a commencé à être mise en phase d'essai. Le LTPS dérivé de la nouvelle génération de panneaux électroluminescents organiques OLED a également été officiellement mis en service en 1998, ses plus grands avantages sont ultra-minces, légers et à faible consommation d'énergie. consommation, peut fournir des couleurs plus magnifiques et des images plus claires.
Polysilicium basse température
LCD TFTpeut être divisé en silicium polycristallin (Poly-Si TFT) et en silicium amorphe (a-Si TFT), la différence entre les deux réside dans les différentes caractéristiques du transistor. La structure moléculaire du polysilicium est disposée proprement et directement dans un grain, de sorte que le la mobilité des électrons est 200 à 300 fois plus rapide que celle du silicium amorphe. Généralement connu sous le nom deTFT-LCDfait référence au silicium amorphe, technologie mature, pour les produits LCD grand public. Le polysilicium comprend principalement deux types de produits : le polysilicium haute température (HTPS) et le polysilicium basse température (LTPS).
Poly-silicium basse température ; poly-silicium basse température ; LTPS (écran à cristaux liquides à transistor à couche mince) utilise un laser excimer comme source de chaleur dans le processus d'emballage. Une fois que la lumière laser a traversé le système de projection, le faisceau laser avec une distribution d'énergie uniforme être généré et projeté sur le substrat de verre de la structure de silicium amorphe.Après que le substrat de verre de la structure de silicium amorphe absorbe l'énergie du laser excimer, il sera transformé en une structure de polysilicium.Parce que l'ensemble du processus est terminé à 600℃, donc le général un substrat en verre peut être appliqué.
Ccaractéristique
L'écran LCD LTPS-TFT présente les avantages d'une haute résolution, d'une vitesse de réaction rapide, d'une luminosité élevée, d'un taux d'ouverture élevé, etc. De plus, parce que la disposition des cristaux de silicium deLCD LTPS-TFTest en ordre que a-Si, la mobilité des électrons est plus de 100 fois supérieure, et le circuit de commande périphérique peut être fabriqué sur le substrat en verre en même temps.Atteignez l'objectif d'intégration du système, économisez de l'espace et réduisez les coûts des circuits intégrés.
En même temps, parce que le circuit IC du pilote est directement produit sur le panneau, il peut réduire le contact externe du composant, augmenter la fiabilité, faciliter la maintenance, raccourcir le temps de processus d'assemblage et réduire les caractéristiques EMI, puis réduire la conception du système d'application temps et élargir la liberté de conception.
L'écran LCD LTPS-TFT est la plus haute technologie pour réaliser le système sur panneau, la première génération deLCD LTPS-TFTL'utilisation d'un circuit de pilote intégré et d'un transistor d'image haute performance pour obtenir une haute résolution et un effet de luminosité élevé, a fait de LTPS-TFT LCD et A-Si une grande différence.
La deuxième génération d'écrans LCD LTPS-TFT grâce aux progrès de la technologie des circuits, de l'interface analogique à l'interface numérique, réduit la consommation d'énergie. La mobilité sur porteuse de cette générationLCD LTPS-TFTest 100 fois celle d'un TFT a-Si, et la largeur de ligne du motif d'électrode est d'environ 4 μm, ce qui n'est pas entièrement utilisé pour l'écran LCD LTPS-TFT.
Les LCD LTPS-TFT sont mieux intégrés dans le LSI périphérique que la génération 2. Le but des LCD LTPS-TFT est de
1) n'ont pas de pièces périphériques pour rendre le module plus fin et plus léger, et réduire le nombre de pièces et le temps d'assemblage ; (2) un traitement simplifié du signal peut réduire la consommation d'énergie ; (3) équipé d'une mémoire peut réduire la consommation d'énergie au minimum.
L'écran LCD LTPS-TFT devrait devenir un nouveau type d'affichage en raison de ses avantages de haute résolution, de saturation des couleurs élevée et de faible coût. Avec les avantages d'une intégration de circuit élevée et d'un faible coût, il présente un avantage absolu dans l'application panneaux d'affichage de taille moyenne.
Cependant, il y a deux problèmes dans le p-Si TFT. Premièrement, le courant de désactivation (c'est-à-dire le courant de fuite) du TFT est important (Ioff = nuVdW/L); Deuxièmement, il est difficile de préparer un matériau p-Si à haute mobilité dans grande surface à basse température, et il y a une certaine difficulté dans le processus.
Il s'agit d'une nouvelle génération de technologie dérivée deLCD TFT.Les écrans LTPS sont fabriqués en ajoutant un procédé laser aux panneaux TFT-LCD en silicium amorphe (A-Si) conventionnels, en réduisant le nombre de composants de 40 % et en connectant les pièces de 95 %, ce qui réduit considérablement les risques de défaillance du produit. L'écran offre une améliorations de la consommation d'énergie et de la durabilité, avec 170 degrés d'angles de vision horizontaux et verticaux, 12 ms de temps de réponse, 500 nits de luminosité et un rapport de contraste de 500:1.
Il existe trois façons principales d'intégrer des pilotes p-Si à basse température :
Le premier est le mode d'intégration hybride du balayage et du commutateur de données, c'est-à-dire que le circuit de ligne est intégré ensemble, le commutateur et le registre à décalage sont intégrés dans le circuit de ligne, et le pilote d'adressage multiple et l'amplificateur sont connectés en externe à l'écran plat avec le circuit hérité ;
Deuxièmement, tout le circuit de conduite est entièrement intégré à l'écran ;
Troisièmement, les circuits d'entraînement et de contrôle sont intégrés sur l'écran d'affichage.
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Heure de publication : 21 mars 2023
